Транзистор, който може да издържи на температурата в ядрен реактор

[Joro-01]

"Силициевитетранзистори излизат от строя до температури около 350°С. За по-високи температури от 550°С (в реактивни двигатели и на други места) се ползва един друг известен с издържливостта си полупроводник - SiC" /карборунд/. Изследотели от университета в Юта са направили обаче нещо още по-яко - миниатюрен базиран на плазма транзистор (няма полупроводник който да се държи адекватно при подобни условия, т.ч. не може да е solid state), който може да работи на температура над 790°С, който може да изгражда електронни схеми (логически вериги) работещи във вътрешността на реактор.. В оригинала се говори дори а управление на роботи..

Тоест каналът му (частта /областа/ от полевия транзистор която управляемо си мени съпротивлението) е плазма, а не зона от полупроводник.

Малко за т.нар. транзистор - лично мнение - не е нещо ново - вероятно мнозина са чували за триод (вакуумния аналог на транзистора (и по-специално на полевия), споменавано е тук), може би не сме споменавали газонапълнения аналог (вече не вакуумен а газоразряден прибор) на триода - известен още като тиратрон . На всичкото отгоре се шпоявява 1930 г.. Е, новото тук е че е вече миниатюрен - използва се т.нар микроплазмено устройство... Така че аз бих го класифицирал като микроплазмен тиратрон...

Повече - http://spectrum.ieee.org/tech-talk/semiconductors/devices/a-transistor-for-blistering-nuclear-reactor-temperatures

[Joro-01]

М-да, дойдоха ми идеи за теми: "Микроплазмени устройства" и "Газонапълнени електронни прибори"